Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 107

• Біполярні PNP
• NEC
• THT
• TO-220
• 80 V
• 4 А
• 200
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• HIT
• THT
• TO-92MOD
• 80 V
• 1 А
• 320
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 3 А
• 390
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 20

• Біполярні PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 2 А

• Біполярні PNP
• MAT
• THT
• SC-71
• 20 V
• 5 А
• 625
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3FORM
• 0,05 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• TOS
• THT
• TO-220F
• 230 V
• 1 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 230

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT33
• 50 V
• 0,5 А
• 50
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• TOS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+125°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 160 V
• 1 А
• 200
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,05 А
• 1200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 300

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 75

• Інше
• ZTX
• SMD
• MLP-8(3x2)
• 20 V
• 5 А
• 200
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7.5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.27 | Напруга колектор-база, В: 40

• Інше
• ST
• DIP-16
• 50 V
• 0,5А

• Біполярні NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 1000

• Інше
• ST
• DIP-16
• 50 V
• 0,5 А
• 1000

• Не вказано
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 0,003 Ohm
• 235 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 1525 pF / 15 V | Заряд затвора: 103 nC / 4.5 V

• Не вказано
• TO-247-3
• THT
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 В
• 50 A
• 50 mOhm
• 277 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 672 pF / 25 V | Заряд затвора: 90 nC / 10 V

• Не вказано
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 22 A
• 160 mOhm
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5.5V / 1.5mA | Ємність затвора: 2310 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V

• Не вказано
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 В
• 120 A
• 25 mOhm
• 750 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 5784 pF / 25 V | Заряд затвора: 33.8 nC / 20 V

• Не вказано
• SOT23-3
• SMD
• Польові P-канальні
• 225 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 750 mV / 1 µA | Ємність затвора: 7pF / 15V

• Не вказано
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 13 A
• 15 mOhm
• 1.9 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2V / 1mA | Заряд затвора: 130 nC / 10 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові P-канальні
• 60 V
• 20 В
• 25 A
• 50 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 350 pF / 30 V | Заряд затвора: 18.7 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...