Транзисторы для электронных компонентов. Страница 3

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 48ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• есть
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 2 V
• 155 Вт
• 60 А
• есть

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 1,6 V
• 268 Вт
• 99
• 200 А
• есть
• 105 нс
• 200 А
• 22 нс
• 207 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,6 V
• 305 Вт
• 120
• 150 А
• есть
• 175 нс
• 150 А
• 21 нс
• 52 н

• IGBT

• IGBT
• China
• TO-247
• 600 V
• 2.3 V
• 80 A
• 40 A

• IGBT

• IGBT
• On
• TO-247
• 600 V
• 1.8 V
• 75 A
• 60 A
• 463 W

• IGBT

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 900 V
• 2.25 V
• 51 A
• 28 A
• 200 W

• IGBT

• ST
• IGBT
• THT
• TO-247
• 650 V
• 1.55 V
• 357
• 30 V
• 71 A
• 207 nC

• ST
• IGBT
• SMD
• DPAK
• 1200 V
• 2 V
• 55
• 20 V
• 10 A

• Crmicro
• TO-247
• IGBT

Примечание: Напряжение коллектор-эмиттер Vces, V: 1200 V | Напряжение насыщения Vce, V: 1,74 V | Ток коллектора Ic при 25°C, A: 80 A | Ток коллектора...

• Ixys
• TO-247AD
• IGBT

Примечание: Напряжение коллектор-эмиттер Vces, V: 600 V | Напряжение насыщения Vce, V: 2,5 V | Ток коллектора Ic при 25°C, A: 75 A | Ток коллектора...

• 20 A
• 125 W
• 1.3 V
• 400 V
• Littelfuse
• D-Pak
• IGBT