Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Pd 25 200 W

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 50 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 33ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 45 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 45 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 32ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 190 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 250 V
• 55 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.32 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 35 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 30ns | Время выключения: 175ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 96 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• China
• TO-247
• 1200 V
• 2.78 V
• 45 A
• 24 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 900 V
• 2.3 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247AC
• 1200 V
• 2.77 V
• 45 A
• 24 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.28 V
• 70 A
• 41 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 1200 V
• 2.78 V
• 45 A
• 24 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W