Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Бренд Renesas

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 138 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примечание: Время включения: 45ns | Время выключения: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 23 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 20ns | Время выключения: 40ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 63ns | Время выключения: 142ns

• Renesas
• IGBT
• 630 V
• 35 A
• 1,9 V
• 25 Вт
• 20
• 200 А
• нет
• 50 нс
• 20 нс

• Renesas
• IGBT
• 360 V
• 30 A
• 2,5 V
• 20 Вт
• 23
• 200 А
• есть
• 40 нс
• 100 А
• 20 нс
• 23 н

• Renesas
• IGBT
• 330 V
• 50 A
• 1,6 V
• 200 А