Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Pd 25 120 W

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 0.30us | Время выключения:...