Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 455 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 578 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.69 | Время включения: 32ns |...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 99 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 109 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 64ns | Время выключения: 128ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 234 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время выключения: 250ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 267 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 165ns