Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Время нарастания (ton) 15 нс

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 53 A
• 38 A
• 200 Вт
• 1.6 V
• нет
• 90 А
• 179 нс
• 15 нс

Примечание: Маркировка: G30DTP | Полный заряд затвора, нКл: 130

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,4 V
• 186 Вт
• 120
• 45 А
• есть
• 160 нс
• 45 А
• 15 нс
• 330 н

• Ixys
• IGBT
• 650 V
• 38 A
• 15 A
• 2,5 V
• 200 Вт
• 19
• 80 А
• есть
• 68 нс
• SMD
• 15 нс
• 110 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 64 A
• 40 A
• 2,6 V
• 500 Вт
• 220
• 160 А
• есть
• 110 нс
• 240 А
• 15 нс
• 75 н