Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 7ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 92 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 28 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• Ir
• TO-220
• 600 V
• 2.21 V
• 28 A
• 16 A
• 100 W

• IGBT
• Ir
• TO-220AB
• 600 V
• 2.7 V
• 23 A
• 12 A
• 100 W