Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...