- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627871
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-220
- 600 V
- 40 А
- 135 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627872
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-220F
- 600 V
- 40 А
- 34,5 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627753
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 650 V
- 160 А
- 390 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT CRG15T120BNR3S
Код: 627841
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-3P(N)
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC
В наличии
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDPN
Код: 627577
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-3P
- 600 V
- 80 А
- 290 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627878
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 1000 V
- 50 А
- 150 W
- -55...+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...
В наличии
Код: 627799
- IGBT
- ST
- THT
- TO-220
- 600 V
- 35 А
- 125 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT FGA25N120ANTDTU-F109
Код: 627692
- IGBT
- ONS
- THT
- TO-3PBL
- 1200 V
- 50 А
- 312 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...
В наличии
Код: 627839
- IGBT
- INFIN
- SMD
- D2PAK
- 600 V
- 27 А
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 11ns | Время выключения: 72ns
В наличии
Код: 627668
- IGBT
- WEEN/NXP
- THT
- TO-247
- 650 V
- 40 А
- 125 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 95ns | ...
В наличии
Код: 627794
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 600 V
- 42 А
- 140 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...
В наличии
Код: 627672
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247-3L
- 600 V
- 120 А
- 321 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 179 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 36ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7
Код: 627857
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 278 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2
В наличии
Код: 627620
- IGBT
- NCE
- SMD
- D2PAK
- 600 V
- 60 А
- 190 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627815
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-220F
- 600 V
- 30 А
- 34 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...
В наличии
Код: 627814
- IGBT
- NCE
- SMD
- D2PAK
- 600 V
- 30 А
- 105 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...
В наличии
Код: 627777
- IGBT
- NCE
- SMD
- DPAK
- 600 V
- 20 А
- 83 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...
В наличии
Код: 627835
- IGBT
- ONS-FAIR
- THT
- TO-247
- 600 V
- 54 А
- 167 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...
В наличии
Код: 627819
- IGBT
- LUXIN
- SMD
- D2PAK
- 236 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 29ns | Время выключения: 46ns
В наличии
Код: 627670
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 286 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT MBQ40T120FESTH
Код: 627761
- IGBT
- Magnachip
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 357 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 341 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 65ns | ...
В наличии
Код: 627626
- IGBT
- AOS
- SMD
- DPAK
- 650 V
- 5 А
- 28 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 14 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время включения: 8.5ns |...
В наличии
Транзистор IGBT IXYH40N120B3D1
Код: 627849
- IGBT
- Ixys
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 40 А
- 480 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 22ns | Время выключения: 177ns
В наличии
Код: 627725
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-220F
- 600 V
- 15 А
- 25 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 25.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 40ns |...
В наличии