Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -55...+150°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 34.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 22.5ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 57 nC | Время включения: 20.5ns | Время выключения: 96ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 24 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.8 | Время включения: 15ns | ...