Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 173 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 95ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247-3L
• 600 V
• 120 А
• 321 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 179 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 91 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 44 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 78 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• SMD
• D2PAK
• 236 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 29ns | Час виключення: 46ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 176 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 357 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 341 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 65ns | Час виключення:...

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 14 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час включення: 8.5ns | Час...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 22ns | Час виключення: 177ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 25.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 239 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 62ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 333 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 208 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 77ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 88ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...