Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...