Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 80 А
• 595 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 340 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.12 | Час включення: 76ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 99 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 380 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 60 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 340 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 82ns | Час...