Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -55...+150°C

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 95ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247-3L
• 600 V
• 120 А
• 321 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 179 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 36ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 357 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 341 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 65ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 22ns | Время выключения: 177ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 25.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 239 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 62ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 333 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 208 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 77ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 88ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...