Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 75 А

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 310 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 39ns | ...