Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -40…+175°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 34ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 80 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 190 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3-46
• 600 V
• 160 А
• 833 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 703 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 592 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 180ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 138 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.12 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 103ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 240 А
• 893 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.86 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Время включения: 282ns...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 428 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 74ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 48 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 61 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 530 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 42 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 9ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 7ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 30 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 21ns | Время выключения: 207ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 18ns |...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Время включения: 119ns | Время выключения: 390ns

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...