Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -40…+175°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 140 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 625 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 30ns | Время выключения: 265ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 143 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время выключения: 359ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 40 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1600 V
• 30 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 94 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.35 | Время выключения: 525ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 50 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 315 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 23ns |...