- Популярные
- Время добавления
- Цена
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDPN
Код: 627577
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-3P
- 600 V
- 80 А
- 290 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT40U120FD1P7
Код: 628434
- IGBT
- Silan Microelectronics
В наличии
Код: 627672
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247-3L
- 600 V
- 120 А
- 321 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 179 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 36ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7
Код: 627857
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 278 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2
В наличии
Транзистор IGBT SGT40T120FD1P7
Код: 627702
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 570 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...
В наличии
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...
В наличии
Код: 627578
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 380 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 88ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7
Код: 627791
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 46 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns
В наличии
Код: 627583
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 120 А
- 450 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...
В наличии