Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 50 А

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 146 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 592 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 180ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 303 nC

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 210 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 45ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 349 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 141 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 230 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 50ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 195 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 142 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 4.2 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 50 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 155 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 50 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 315 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns |...