Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Страница 6

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 288 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 260ns

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 37 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 39 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns | Время выключения: 194ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 316 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 260 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 80ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 66 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время выключения: 156ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 80А