Транзисторы для электронных компонентов. Страница 10

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 48ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 124ns

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Время включения: 12ns | Время выключения: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 159 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.29 | Время включения: 17ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 54.7 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 14.4ns...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 79 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 20.8ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 223 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 19ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 143 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время выключения: 359ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 75ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...