- Популярные
- Время добавления
- Цена
Транзистор IGBT STGWA25M120DF3
Код: 627845
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 28ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT STGWA15H120DF2
Код: 627820
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 30 А
- 259 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 23ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4
Код: 627696
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 71 А
- 357 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...
В наличии
Код: 627699
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 283 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...
В наличии
Код: 627586
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 167 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT40T120FD1P7
Код: 627702
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 570 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...
В наличии
Код: 627621
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-220
- 600 V
- 60 А
- 190 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627737
- IGBT
- NCE
- SMD
- TO-263
- 600 V
- 12 А
- 73 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...
В наличии
Код: 627641
- IGBT
- ST
- SMD
- DPAK
- 650 V
- 4 А
- 68 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns
В наличии
Код: 627754
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 600 V
- 160 А
- 390 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627769
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 100 А
- 535 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627745
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...
В наличии
Код: 627579
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 50 А
- 250 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...
В наличии
Код: 627822
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 30 А
- 170 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.77 | Время выключения: 115ns
В наличии
Код: 627792
- IGBT
- ST
- THT
- TO-220AB
- 1200 V
- 30 А
- 283 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...
В наличии
Код: 627750
- IGBT
- ST
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 80 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...
В наличии
Код: 627680
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627767
- IGBT
- Ixys
- THT
- TO-247
- 600 V
- 60 А
- 270 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 37 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 23ns | ...
В наличии
Код: 627772
- IGBT
- Ixys
- THT
- TO-247
- 600 V
- 60 А
- 270 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 39 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns | ...
В наличии
Код: 627731
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 600 V
- 120 А
- 316 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627811
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 1350 V
- 30 А
- 170 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns
В наличии
Код: 627717
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 600 V
- 20 А
- 167 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...
В наличии
Код: 627818
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 1350 V
- 20 А
- 170 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 66 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время выключения: 156ns
В наличии
Код: 627876
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 600 V
- 50 А
- 230 W
- -55…+175°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...
В наличии