- Популярные
- Время добавления
- Цена
Транзистор полевой MOSFET HYG042N10NS1P
Код: 624951
- Huayi
- TO-220
- THT
- Полевые N-канальные
- 100 V
- 20 В
- 160 A
- 4,5 mOhm
- 200 W
- -55…+175°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2506 pF / 25 V | Заряд затвора: 119 nC / 10 V | Диапазон номинальных...
В наличии
Транзистор полевой MOSFET AGM4005LLM1
Код: 775370
- Полевые N-канальные
- TOLL-8L
- 1.8 V
- -55…+175°C
В наличии
Транзистор полевой MOSFET IPB065N15N3 G-VB
Код: 775463
- Vbsemi
- Полевые N-канальные
- TO-263-7L
- 4.5 V
- 5 mOhm
- -55…+175°C
- 75
В наличии
Транзистор полевой MOSFET IRLR7843TR(UMW)
Код: 775475
- Umw
- Полевые N-канальные
- TO-252
- 2.5 V
- 2.6 mOhm
- -55…+175°C
- 8.1
В наличии
Транзистор полевой MOSFET SQ7415AEN-T1_BE3
Код: 775607
- Vishay
- Полевые P-канальные
- PowerPAK-1212-8
- 2.5 V
- -55…+175°C
В наличии
Транзистор полевой MOSFET NCEP15T14LL
Код: 775564
- NCE
- Полевые N-канальные
- TOLL
- 4 V
- 5.8 mOhm
- -55…+175°C
- 104
В наличии
Транзистор полевой MOSFET STB55NF06T4
Код: 769548
- ST
- Полевые N-канальные
- SMD
- 60 V
- D2PAK
- -55…+175°C
- 50 А
В наличии
Транзистор полевой MOSFET IRF2907ZSTRLPBF
Код: 770491
- INFIN
- Полевые N-канальные
- SMD
- 75 V
- TO-263(D2PAK)
- -55…+175°C
- 160 А
В наличии
Код: 627780
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 150 А
- 833 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 450 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627805
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247AA[SUPER]
- 1200 V
- 150 А
- 833 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 572 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627804
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 150 А
- 833 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 572 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...
В наличии
Код: 627770
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247AA[SUPER]
- 1200 V
- 100 А
- 535 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627721
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 242 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627747
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247AA[SUPER]
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627744
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627608
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 365 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627635
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 365 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 146 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627856
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 30 А
- 300 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT NCE100TD120VTP
Код: 627830
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247AA[SUPER]
- 1200 V
- 200 А
- 1071 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 743 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT STGYA50H120DF2
Код: 627700
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 100 А
- 535 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...
В наличии
Код: 627749
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 60 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...
В наличии
Код: 627706
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 47ns |...
В наличии
Транзистор IGBT STGWA40H65DFB2
Код: 627643
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 45 А
- 230 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...
В наличии
Код: 627640
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 30 А
- 260 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 46ns |...
В наличии