Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Silan Microelectronics. Температурный диапазон -55…+175°C

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 570 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 130 pF / 25 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 12 A
• 175 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 25 V | Заряд затвора: 7.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...