Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55…+175°C. Pd 25 250 W

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 120 A
• 0,0035 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1725 pF / 10 V | Заряд затвора: 123 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 120 A
• 0,004 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3100 pF / 15 V | Заряд затвора: 257 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 4,2 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4680 pF / 30 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 200 A
• 1,7 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 11400 pF / 20 V | Заряд затвора: 75 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 2,4 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 200µA | Ёмкость затвора: 21900 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220AB
• THT
• Полевые P-канальные
• 150 V
• 20 В
• 27 A
• 150 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2210 pF / 25 V | Заряд затвора: 21 nC | Диапазон номинальных напряжений...