- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627671
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 286 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627746
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627707
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 283 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...
В наличии
Код: 627721
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 242 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627747
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247AA[SUPER]
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627744
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627699
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 283 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT40T120FD1P7
Код: 627702
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 570 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...
В наличии
Код: 627745
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...
В наличии
Код: 627750
- IGBT
- ST
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 80 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...
В наличии
Код: 627680
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 80 А
- 468 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627823
- IGBT
- ONS-FAIR
- THT
- TO-3PN
- 650 V
- 80 А
- 268 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Код: 627587
- IGBT
- ONS-FAIR
- THT
- TOP-3FP
- 600 V
- 80 А
- 115 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...
В наличии
Код: 627755
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 334 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 60ns |...
В наличии
Транзистор IGBT FGH40T65SPD-F155
Код: 627765
- IGBT
- ONS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 267 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 16ns | ...
В наличии