• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT STGB18N40LZT4

Транзистор IGBT STGB18N40LZT4

4

Код: 627742

  • IGBT
  • ST
  • SMD
  • D2PAK
  • 420 V
  • 30 А
  • 200 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW40V60DF

Транзистор IGBT STGW40V60DF

4

Код: 627707

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 80 А
  • 283 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET STP65NF06

Транзистор полевой MOSFET STP65NF06

5

Код: 625679

  • ST
  • TO-220
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 60 V
  • 20 В
  • 60 A
  • 14 mOhm
  • 110 W
  • -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1700 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET STP20NF06L

Транзистор полевой MOSFET STP20NF06L

4

Код: 625695

  • ST
  • TO-220
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 60 V
  • 18 В
  • 20 A
  • 70 mOhm
  • 60 W
  • -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 7.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET STP200NF04

Транзистор полевой MOSFET STP200NF04

4

Код: 625700

  • ST
  • TO-220
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 40 V
  • 20 В
  • 120 A
  • 3,7 mOhm
  • 310 W
  • -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5100 pF / 25 V | Заряд затвора: 210 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET STB55NF06T4

Транзистор полевой MOSFET STB55NF06T4

5

Код: 769548

  • ST
  • Полевые N-канальные
  • SMD
  • 60 V
  • D2PAK
  • -55…+175°C
  • 50 А

В наличии

Транзистор IGBT STGYA50H120DF2

Транзистор IGBT STGYA50H120DF2

5

Код: 627700

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 100 А
  • 535 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWT60H65DFB

Транзистор IGBT STGWT60H65DFB

4

Код: 627749

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 60 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA75M65DF2

Транзистор IGBT STGWA75M65DF2

4

Код: 627706

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 75 А
  • 468 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 47ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA40H65DFB2

Транзистор IGBT STGWA40H65DFB2

5

Код: 627643

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 45 А
  • 230 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA30H65DFB

Транзистор IGBT STGWA30H65DFB

5

Код: 627640

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 30 А
  • 260 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 46ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA25M120DF3

Транзистор IGBT STGWA25M120DF3

4

Код: 627845

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 28ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA15H120DF2

Транзистор IGBT STGWA15H120DF2

4

Код: 627820

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 259 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 23ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

5

Код: 627696

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 71 А
  • 357 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGW40H65DFB

Транзистор IGBT STGW40H65DFB

4

Код: 627699

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 283 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW20V60DF

Транзистор IGBT STGW20V60DF

5

Код: 627586

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 167 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGD4M65DF2

Транзистор IGBT STGD4M65DF2

5

Код: 627641

  • IGBT
  • ST
  • SMD
  • DPAK
  • 650 V
  • 4 А
  • 68 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

В наличии

Транзистор IGBT STGP15M120F3

Транзистор IGBT STGP15M120F3

5

Код: 627792

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-220AB
  • 1200 V
  • 30 А
  • 283 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWT60H65FB

Транзистор IGBT STGWT60H65FB

5

Код: 627750

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-3P
  • 650 V
  • 80 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW40H120DF2

Транзистор IGBT STGW40H120DF2

4

Код: 627680

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 468 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA40HP65FB

Транзистор IGBT STGWA40HP65FB

4

Код: 627644

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247-long-leads
  • 650 V
  • 72 А
  • 227 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

В наличии

Транзистор IGBT STGW20IH125DF

Транзистор IGBT STGW20IH125DF

5

Код: 627824

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 1,25 V
  • 40 А
  • 259 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

В наличии

Транзистор IGBT STGW60V60F

Транзистор IGBT STGW60V60F

5

Код: 627755

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 80 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 334 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 60ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGF15H60DF

Транзистор IGBT STGF15H60DF

4

Код: 627840

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-220FP
  • 600 V
  • 30 А
  • 30 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

В наличии

Страница 1 из 3