Транзисторы для электронных компонентов. Бренд ST. Температурный диапазон -55…+175°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 47ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 30 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 469 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 414 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 84ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 71 А
• 357 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 30 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 334 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 60ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 49 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.15 | Время включения: 1.1µs | Время выключения: 26.5µs

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 37ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 18 mOhm
• 25 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1640 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 90 A
• 4,3 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 6340 pF / 40 V | Заряд затвора: 96 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 110 A
• 6,5 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 9130 pF / 40 V | Заряд затвора: 150 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 100 A
• 9 mOhm
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5955 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...