Транзисторы для электронных компонентов. Страница 6

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 267 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 80ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 140 А
• 454 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 150 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 55 А
• 210 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 157 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 80ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 100 А
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 104 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 8 А
• 56 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 13 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...

• Не указан
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 0,003 Ohm
• 235 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1525 pF / 15 V | Заряд затвора: 103 nC / 4.5 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 68 pF / 30 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 10,6 mOhm
• 34 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 917 pF / 20 V | Заряд затвора: 23.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 131 A
• 5,8 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3330 pF / 50 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 33 A
• 33 mOhm
• 3.75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5100 pF / 25 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,8 A
• 41 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 840 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• Vishay
• D2PAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 5 mOhm
• 15 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 11300 pF / 25 V | Заряд затвора: 280 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 19 A
• 200 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 25 A
• 37 mOhm
• 57 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 10 В
• 40 A
• 200 mOhm
• 43 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.4 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12 A
• 300 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 860 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...