Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Сторінка 9

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 60 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 23 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 50 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 40ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 28 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 60ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 250 V
• 55 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 200 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.32 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220FULLPACK
• 600 V
• 17 А
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 50 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220FULLPACK
• 600 V
• 11,1 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 27 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 39ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 98 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.15 | Час включення: 27ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 51 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 13 А
• 60 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 27 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 39ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 60 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 115 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 35 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 30ns | Час виключення: 175ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 96 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 29ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 13.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 12ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 24 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.8 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 22ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 170 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• Fair
• SMD
• SO8
• 2,5 W
• -55...+150°C

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT723
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 400

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-261
• 40 V
• 3 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 40