Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 8

• Umw
• Польові P-канальні
• SOT-23
• 0.55 V
• 50 mOhm
• -55...+150°C
• 8

• Umw
• Польові N-канальні
• SOP-8
• 4 V
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• TO-220AB
• 40
• 1 V
• -55...+150°C

• Vbsemi
• Польові N-канальні
• TO-247
• 4 V
• 190 mOhm
• -55...+150°C
• 106

• Umw
• Польові N-канальні
• SOT-23
• 2.5 V
• 92 mOhm
• -55...+150°C
• 2.5

• Infineon
• Польові N-канальні
• TO-247-3L
• 4 V
• 150 mOhm
• -55...+150°C
• 86

• Польові N-канальні
• Umw
• SOP-8
• 1.8 V
• -55...+150°C

Примітка: Напруга сток-витік (VDS): 30 В | Максимальний постійний струм стоку (ID): 14 А | Опір відкритого каналу (RDS(on)): 9,5 мОм при VGS = 10 В,...

• Польові P-канальні
• TO-252
• 2.5 V
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• SOT-23
• -55...+150°C

• Umw
• Польові N-канальні
• SOP-8
• 2.5 V
• -55...+150°C
• SMD

• Vbsemi
• Польові P-канальні
• TO-252
• 20 V
• 2 mOhm
• -55...+150°C
• 29

• Umw
• Польові P-канальні
• SOT-23
• 0.55 V
• 50 mOhm
• -55...+150°C
• 10

• Біполярні NPN
• TO-220
• -55...+150°C

• Не вказано
• Біполярні NPN
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• -55...+150°C
• 35
• 0.6 А
• 6 V
• 625 mW

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• 60 V
• TO-252(DPAK)
• -55...+150°C
• 40 А

• Fair
• Польові N-канальні
• THT
• 30 V
• TO-3PN
• -55...+150°C
• 15 А

• INFIN
• Польові N-канальні
• SMD
• 60 V
• SO8-150-1.27
• -55...+150°C
• 4 А

• Інше
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 173 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 95ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247-3L
• 600 V
• 120 А
• 321 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 179 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 91 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...