Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Сторінка 7

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,8 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 45 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 45

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 200 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.65 | Час включення: 50ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 10000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,3 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Fair
• THT
• TO-92-3FORM
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 150 V
• 1,5 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 80 А
• 595 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 340 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.12 | Час включення: 76ns | Час...

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 220

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 30

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 310 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 39ns | Час...