Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Сторінка 5

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 13ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 24ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 25ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC | Час включення: 20.5ns | Час виключення: 96ns

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 192 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 116 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 18.5ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 275 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 140ns | Час...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 142 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 4.2 | Час включення: 28ns | Час...

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 160 V
• 0,6 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 180

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 2 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.9 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 0,9 А
• 50000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.75 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 70 V
• 1,5 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 70

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 150
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 350
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50