Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 3

• NCE
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 220 mOhm
• 131 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 74 pF / 50 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• NCE
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 290 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 870 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• NCE
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 260 mOhm
• 33.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 74 pF / 0 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• NCE
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 15 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 215 pF / 15 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Польові P-канальні
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 28 mOhm
• 95 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.5V / 250µA | Ємність затвора: 719 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 205 mOhm
• 66 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 760 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Польові N-канальні
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 6 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 611 pF / 50 V | Заряд затвора: 68.5 nC / 10 V

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.3V / 250µA | Ємність затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 8 A
• 13 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 1950pF / 20V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Інше
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,8 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.3V / 250µA | Ємність затвора: 3120 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.2V / 250µA | Ємність затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.1V / 250µA | Ємність затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3