Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Сторінка 4

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.36 | Напруга колектор-база, В: 15

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.42 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.225 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 1100

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 400

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.135 | Напруга колектор-база, В: 130

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 9.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 27ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 22.5ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 14.2ns | Час...

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 23 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 20ns | Час виключення: 40ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 88 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 65ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 160
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 500