Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 4

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 200 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.65 | Час включення: 50ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 11ns | Час виключення: 72ns

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Mcc
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.33 | Напруга колектор-база, В: 80

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 90 A
• 7,2 mOhm
• 110 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 300 pF / 30 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 10 В
• 60 A
• 6 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 430 pF / 10 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• Wolfspeed
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 1700 V
• 25 В
• 4,9 A
• 1,1 Ohm
• 69 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 500µA | Ємність затвора: 191 pF / 1000 V | Заряд затвора: 13 nC / 20 V

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 20 V
• 12 В
• 2,3 A
• 120 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 285 pF / 10 V | Заряд затвора: 2.9 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 8 В
• 2,9 A
• 57 mOhm
• 710 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 5.5 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 2,5V / 4,5V

• Vishay
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 5,3 A
• 58 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 665pF / 15V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-247AC
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 26 A
• 250 mOhm
• 470 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 5020 pF / 25 V | Заряд затвора: 180 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 8,7 A
• 850 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 527 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1,5 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 140 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• VISH/IR
• D-Pak
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 10 В
• 4,3 A
• 540 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2V / 250µA | Ємність затвора: 250 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 5 V | Діапазон номінальних напруг...