Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Pd 25 450 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

• ST
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 25 В
• 50 A
• 29 mOhm
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 8825 pF / 100 V | Заряд затвора: 204 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Ir
• TO-247SUPER
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 140 A
• 145 mOhm
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 5580 pF / 25 V | Заряд затвора: 230 nC / 10 V