Транзистори для електронних компонентів. Тип Біполярні NPN. Температурний діапазон -55...+150°C

• Біполярні NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Не вказано
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,2 А
• 210
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.08 | Напруга колектор-база, В: 45

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 210
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.21 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3FORM
• 140 V
• 0,6 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 150 V
• 1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.225 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 1100

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 400