Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные NPN. Страница 4

• Биполярные NPN
• ST
• TO-126
• 400 V
• 700 V
• 1.5 A
• 35
• THT

• Биполярные NPN
• Toshiba
• TO-92
• 100 MHz
• 50 V
• 50 V
• 2.0 А
• 240
• THT

• Биполярные NPN
• TO-92
• 220 MHz
• 40 V
• 30 V
• 0.5 A
• 30000
• THT

• Биполярные NPN
• Cdil
• TO-3P
• 120 V
• 120 V
• 30 A
• THT

• Биполярные NPN
• Cj
• TO-220
• 10 MHz
• 400 V
• 400 V
• 7.0 А
• THT

• Биполярные NPN
• TO-247
• 100 V
• 100 V
• 10.0 А
• 1000
• THT

• Биполярные NPN
• Cj
• SOT-23
• 100 MHz
• 25 V
• 40 V
• 1.5 A
• 350
• SMD

• Биполярные NPN
• Cj
• SOT-23
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.5 A
• SMD

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 300
• SMD

• 2 A
• 1 Вт
• 80 V
• 60 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 175 МГц

• Cdil
• 4.0 А
• 32 V
• 32 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• 8..40
• 1,5 A
• 20 Вт
• 700 V
• 400 V
• 9 V
• ST Microelectronics
• Биполярные NPN

• 25 A
• 100 V
• 100 V
• ST Microelectronics
• TO-218
• THT
• Биполярные NPN

• 1000
• 2 A
• 3 Вт
• 160 V
• 140 V
• 10 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 250 МГц

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Не указан
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,2 А
• 210
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.08 | Напряжение коллектор-база, В: 45