Транзисторы для электронных компонентов

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-126
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 90 MHz
• 1.25 Вт
• 160 - 320
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• 3 MHz
• 2.0 А
• 100 V
• 80 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN
• Cj
• TO-126
• 190 MHz
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• 250
• THT

• Биполярные NPN
• NEC
• TO-126
• 80 MHz
• 30 V
• 40 V
• 0.125
• 400
• THT

• Биполярные NPN
• ST
• TO-126
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• THT

• Fairchild
• TO-126
• Биполярные NPN
• 400 V
• 700 V
• 1,5 А
• 9 V
• 4 MHz
• 20 Вт
• 14 - 21
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Cdil
• 4.0 А
• 32 V
• 32 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,2 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 3 А
• 15 W
• 4000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Utc
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,5 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 180

• Биполярные NPN
• Rohm
• THT
• TO-126
• 20 V
• 5 А
• 390
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-126
• 100 V
• 3 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 2 А
• 10000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-126
• 50 V
• 1,5 А
• 30000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• 3000
• 4.0 A
• 80 V
• ST
• TO-126
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN
• Hitachi
• TO-126
• 150 MHz
• 40 V
• 2 A
• THT