Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные NPN. Hfe 300

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.21 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 40 V
• 0,2 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Utc
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.29 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: FTZ653

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 1 A
• 0,5 Вт
• 100 V
• 120 V
• 7 V
• 150 МГц
• 300