Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные NPN. Hfe 40

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 300 V
• 300 V
• 6 V
• 50 МГц
• 40

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 800 V
• 4 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 1600

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 150 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• Fair
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3
• 140 V
• 16 А
• 40
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT223
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 125 V
• 1 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 125

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-3PF
• 750 V
• 10 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• 1500 V
• 5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-3PF
• 100 V
• 2 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 200

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 2 A
• 30 Вт
• 100 V
• 115 V
• 5 V
• 40

• Diotec
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 300 V
• 300 V
• 6 V
• 50 МГц
• 40

• Cdil
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 200 V
• 200 V
• 6 V
• 50 МГц
• 40

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,33 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 100 МГц
• 40