Транзисторы для электронных компонентов. Страница 5

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 420..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• Nexperia
• Биполярные NPN
• 30 V
• 30 V
• 6 V
• 0.1 A
• 0.25 Вт
• 100 МГц
• 110..800

Примечание: Комплементарная пара: BCV62C | Маркировка на корпусе: 1L*

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 400 V
• 200 V
• 6 V
• 7 A
• 60 Вт
• 10 МГц
• 15

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,225 Вт
• 45 V
• 50 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 10 A
• 50 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 50 МГц
• 60

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 35..60

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,05 A
• 0,5 Вт
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• 100 МГц
• 150..600

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 350 V
• 350 V
• 6 V
• 40 МГц
• >30

• Toshiba
• Биполярные NPN
• 1,5 A
• 1,5 Вт
• 160 V
• 160 V
• 6 V
• 100 МГц
• 140..280

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,2 Вт
• 4,5 V
• 0.05 A
• 40 ГГц

• Nxp
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 450

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 12 A
• 100 Вт
• 400 V
• 700 V
• 12 V
• 15..39

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 230 МГц
• 30

• Diotec
• Биполярные NPN
• 1 A
• 0,5 Вт
• 80 V
• 100 V
• 5 V
• 130 МГц
• 63..250