Транзисторы для электронных компонентов

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: FTZ653

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 8 A
• 75 Вт
• 750..15000

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 2 A
• 30 Вт
• 100 V
• 115 V
• 5 V
• 40

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 8 A
• 20 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 4 МГц
• 12000

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 4 A
• 40 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 750

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 4 A
• 40 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 750

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 3 A
• 15 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 3 МГц
• 10..50

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 2 A
• 1,2 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 1000

• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 8 A
• 20 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 2 A
• 1 Вт
• 100 V
• 120 V
• 5 V
• 175МГц

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 1 A
• 0,5 Вт
• 100 V
• 120 V
• 7 V
• 150 МГц
• 300

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 2 A
• 20 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 25 МГц
• 1000..12000

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 3 A
• 40 Вт
• 100 V
• 115 V
• 5 V
• 25