Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• IGBT
• Не вказано

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.35 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 286 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 176 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 42 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 9ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 203 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 48ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 63ns | Час виключення: 142ns

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 650ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 226 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 52ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 200 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 11ns | Час виключення: 72ns

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• є
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• є
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 239

• 60 A
• 105 A
• 595 W
• 2.5 V
• 1200 V
• Ir
• Super-247
• IGBT

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• є
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н