Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Vce 1100 V

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1100 V
• 30 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 470ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 195 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 24ns | Час...