Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Vce 1350 V

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 234 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час виключення: 250ns