Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Корпус TO-247-3L

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247-3L
• 600 V
• 120 А
• 321 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 179 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 36ns | Час...