Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Pd 25 570 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 570 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 222 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 42ns | Час...