Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Pd 25 450 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...